Show simple item record

dc.contributor.authorBAŞER, Pınar
dc.contributor.authorTOPRAK, Mehmet Ali
dc.contributor.authorELAGÖZ, Sezai
dc.date.accessioned2015-08-17T11:14:21Z
dc.date.available2015-08-17T11:14:21Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11424/3981
dc.description.abstractBu çalışmada tek kuantum çukuru içeren GaAs/InxGa1-xAs/GaAs tabakalarından oluşan yapının elektronik enerji düzeyleri analitik olarak hesaplandı. Sayısal sonuçlar, elektronik enerji düzeylerinin In konsantrasyonu, engel yüksekliği ve çukur genişliği gibi yapı parametreleri ile değişimini ortaya koymuştur.en_US
dc.language.isoturen_US
dc.subjectElektronik Enerji Seviyeleri, Kare Kuyu, GaAs/ InxGa1-xAs/GaAsen_US
dc.titleGaas / Gaınas kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumuen_US
dc.typeArticleen_US
dc.contributor.authorIDTR102078en_US
dc.contributor.authorIDTR145367en_US
dc.contributor.authorIDTR3309en_US
dc.relation.journalMARMARA FEN BİLİMLERİ DERGİSİen_US
dc.identifier.volume26en_US
dc.identifier.issue4en_US
dc.identifier.startpage152en_US
dc.identifier.endpage162en_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record